Renesas P-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 4-Pin IPAK 2SJ600-AZ
- RS Stock No.:
- 772-5254P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SJ600-AZ
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในถุง)*
THB506.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB541.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 40 | THB25.307 |
| 50 - 90 | THB24.788 |
| 100 - 190 | THB24.269 |
| 200 + | THB23.793 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 772-5254P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SJ600-AZ
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Package Type | IPAK (TO-251) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 79 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
| Maximum Power Dissipation | 45 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Length | 6.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Transistor Material | Si | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Width | 7mm | |
| Height | 2.3mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Channel Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current 25 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 60 V | ||
Package Type IPAK (TO-251) | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance 79 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V | ||
Maximum Power Dissipation 45 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V | ||
Length 6.5mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Transistor Material Si | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 38 nC @ 10 V | ||
Width 7mm | ||
Height 2.3mm | ||
P-Channel MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
