onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN

RS Stock No.:: 761-9838
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDC6561AN
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB196.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB210.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

27,680 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB19.688	THB196.88
750 - 1490	THB19.195	THB191.95
1500 +	THB18.898	THB188.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 761-9838
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDC6561AN
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	152mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	960mW
	Forward Voltage Vf	0.78V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.3nC
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.7 mm
	Length	3mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series PowerTrench
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 152mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 960mW
	Forward Voltage Vf 0.78V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.3nC
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.7 mm
	Length 3mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง