onsemi NDT451AN N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT451AN
- RS Stock No.:
- 761-3978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NDT451AN
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB258.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB276.27
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,245 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 995 | THB51.638 | THB258.19 |
| 1000 - 1995 | THB50.348 | THB251.74 |
| 2000 + | THB49.574 | THB247.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 761-3978
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NDT451AN
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | NDT451AN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.7mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series NDT451AN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.7mm | ||
Length 6.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NDT451AN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT451AN
- onsemi NDT N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT3055L
- onsemi N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NVF3055L108T1G
- onsemi NDT N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT014L
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FDT86106LZ
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FDT1600N10ALZ
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FDT86102LZ
- onsemi QFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT7N10LTF