onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT7N10LTF

RS Stock No.:: 671-1062
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQT7N10LTF
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT7N10LTF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB132.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB141.655

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

15 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
3,630 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 995	THB26.478	THB132.39
1000 - 1995	THB25.82	THB129.10
2000 +	THB25.416	THB127.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-1062
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQT7N10LTF
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-223
	Series	QFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	350mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.56 mm
	Length	6.5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-223
	Series QFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.6nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.56 mm
	Length 6.5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.6mm
	Automotive Standard No

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 1.7 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT7N10LTF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง