onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6305N
- RS Stock No.:
- 761-3947
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6305N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB161.87
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB173.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 6,900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB16.187 | THB161.87 |
| 750 - 1490 | THB15.782 | THB157.82 |
| 1500 + | THB15.54 | THB155.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 761-3947
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6305N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 128mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 960mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.77V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 128mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 960mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Forward Voltage Vf 0.77V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The FDC6305N is an N-Channel MOSFET featuring a low threshold. Designed with PowerTrench® technology it boasts minimise on-state resistance and low-gate charge for superior switching performance.
Features and Benefits:
• Low gate charge
• Fast switching speed
• PowerTrench® technology
• Super small footprint. 72% smaller than a SO08.
The FDC6305N is typically used in these applications;
• Load switching
• DC/DC Converters
• Motor Driving
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 2.7 A 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 2.7 A 6-Pin SOT-23 FDC6327C
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 2.5 A 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6401N
