onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 124-1416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6401N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB36,345.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB38,889.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB12.115 | THB36,345.00 |
| 6000 - 9000 | THB11.752 | THB35,256.00 |
| 12000 + | THB11.399 | THB34,197.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-1416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC6401N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 106mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 960mW | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3mm | |
| Width | 1.7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 106mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 960mW | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3mm | ||
Width 1.7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6401N
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 2.5 A 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 2.7 A 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6561AN
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 2.5 A 6-Pin SOT-23 FDC6333C
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P 2.7 A 6-Pin SOT-23 FDC6327C
