onsemi BUZ11 N-Channel MOSFET, 30 A, 50 V Enhancement, 3-Pin TO-220 BUZ11-NR4941
- RS Stock No.:
- 761-3515
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BUZ11-NR4941
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB241.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB257.89
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 295 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 35 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB48.204 | THB241.02 |
| 25 - 95 | THB47.24 | THB236.20 |
| 100 - 245 | THB46.296 | THB231.48 |
| 250 - 495 | THB45.37 | THB226.85 |
| 500 + | THB44.462 | THB222.31 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 761-3515
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BUZ11-NR4941
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Series | BUZ11 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.83mm | |
| Height | 16.51mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Series BUZ11 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.83mm | ||
Height 16.51mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi MegaFET N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD14N05SM9A
- onsemi N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD14N05LSM9A
- onsemi N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD14N05LSM
- onsemi MegaFET N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N05LSM9A
- DiodesZetex BSS138K N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138K-13
- Vishay Single SQ Rugged N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50N05-11L_GE3