onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS89141
- RS Stock No.:
- 759-9699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS89141
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB236.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB253.022
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,326 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 624 | THB118.235 | THB236.47 |
| 626 - 1248 | THB115.275 | THB230.55 |
| 1250 + | THB113.505 | THB227.01 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 759-9699
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS89141
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 107mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 31W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Width | 5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 107mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 31W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Width 5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4mm | ||
Height 1.5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS9945
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
