onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 4.1 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS86242
- RS Stock No.:
- 759-9692
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS86242
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB80.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB86.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 624 | THB40.25 | THB80.50 |
| 626 - 1248 | THB39.24 | THB78.48 |
| 1250 + | THB38.64 | THB77.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 759-9692
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS86242
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 126mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 810mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5mm | |
| Length | 4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 126mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Forward Voltage Vf 810mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5mm | ||
Length 4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS86242
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS86252
- Vishay Dual SI7956DP N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFS015N15MC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86252L
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86255