Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V Enhancement, 3-Pin SC-67 2SK3564,S5Q(J
- RS Stock No.:
- 890-2686
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK3564,S5Q(J
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB236.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB252.905
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 35 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB47.272 | THB236.36 |
| 25 - 120 | THB46.09 | THB230.45 |
| 125 - 245 | THB44.938 | THB224.69 |
| 250 - 495 | THB43.814 | THB219.07 |
| 500 + | THB42.72 | THB213.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 890-2686
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK3564,S5Q(J
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V | |
| Package Type | SC-67 | |
| Series | 2SK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Forward Voltage Vf | -1.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Height | 15mm | |
| Width | 4.5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 900V | ||
Package Type SC-67 | ||
Series 2SK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Forward Voltage Vf -1.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Height 15mm | ||
Width 4.5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET 900 V EnhancementS5Q(J
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 200 V EnhancementS4X(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 250 V EnhancementS4X(S
- Toshiba 2SK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-59 2SK1062(F)
- Toshiba 2SK4207 Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin SC-65 2SK4207(Q)
- Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K361R
- Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-723 SSM3K37MFV
- Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET EnhancementLF(B