Vishay Isolated TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 625 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB17,496.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB18,721.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,460 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
625 - 1245THB27.994
1250 +THB27.562

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
710-3327P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4214DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

19.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

+150°C

Length

5mm

Height

1.5mm

Width

4mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor