Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 10.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (625 ชิ้น, จัดส่งเป็นม้วน)*

THB18,918.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB20,243.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ขออภัย เราไม่มีสินค้าในสต็อกจำนวนมาก โปรดลดจำนวนที่ต้องการ
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 125 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น
ต่อหน่วย
625 - 1245THB30.27
1250 +THB29.806

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
710-3311P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4128DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.8nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Length

5mm

Height

1.5mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor