Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 688-7165
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-43-456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFZ44ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 15 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB21.51
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB287.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB307.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 75 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 20 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 10 | THB57.402 | THB287.01 | - |
| 15 - 20 | THB55.968 | THB279.84 | THB21.51 |
| 25 + | THB55.106 | THB275.53 | THB57.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 688-7165
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-43-456
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFZ44ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.4mm | |
| Length | 10mm | |
| Height | 8.77mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.4mm | ||
Length 10mm | ||
Height 8.77mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFZ44ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB52N15DPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
