Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 688-6800
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-43-449
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1018EPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 15 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB211.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB226.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 10 | THB42.248 | THB211.24 | - |
| 15 - 20 | THB41.194 | THB205.97 | 2% |
| 25 + | THB40.56 | THB202.80 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 688-6800
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-43-449
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1018EPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 79A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.02mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 79A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.02mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
Motor Control MOSFET
Synchronous Rectifier MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1018EPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-220 IRF1018ESTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR1018ETRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3806PBF
