Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V TO-220
- RS Stock No.:
- 257-9267
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1018ESTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB19,020.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,351.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB23.775 | THB19,020.00 |
| 1600 - 2400 | THB22.943 | THB18,354.40 |
| 3200 - 5600 | THB22.14 | THB17,712.00 |
| 6400 + | THB21.365 | THB17,092.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9267
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1018ESTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 79A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.4mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 79A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.4mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220 IRF1018ESTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1018EPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-252 IRFR1018ETRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220