onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS3672

RS Stock No.:: 671-0491
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS3672
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS3672

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB347.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB371.955

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,820 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB69.524	THB347.62
625 - 1245	THB67.78	THB338.90
1250 +	THB66.734	THB333.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-0491
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS3672
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOIC
	Series	UltraFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-43-726

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOIC
	Series UltraFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-43-726

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable Benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.

Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS3672

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง