onsemi FDN337N Type N-Channel MOSFET, 2.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN337N

RS Stock No.:: 671-0429
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-43-435
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDN337N
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FDN337N Type N-Channel MOSFET, 2.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN337N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB172.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB184.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ขาดตลาด

เพิ่มอีก 710 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 19 มกราคม 2569
เพิ่มอีก 9,540 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 26 มกราคม 2569

สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB17.232	THB172.32
750 - 1490	THB16.80	THB168.00
1500 +	THB16.542	THB165.42

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-0429
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-43-435
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDN337N
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	FDN337N
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4 mm
	Length	2.92mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.94mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series FDN337N
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4 mm
	Length 2.92mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.94mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi FDN337N Type N-Channel MOSFET, 2.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN337N

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง