onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS123

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB70.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB75.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,410 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 26,780 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 740THB7.01THB70.10
750 - 1490THB6.837THB68.37
1500 +THB6.732THB67.32

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
671-0321
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-43-725
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS123
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

170mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

PowerTrench

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

360mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.92mm

Width

1.3mm

Height

0.93mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง