Vishay Si1302DL N-Channel MOSFET, 600 mA, 30 V Enhancement, 3-Pin SC-70 SI1302DL-T1-E3
- RS Stock No.:
- 655-6795P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1302DL-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB10,442.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB11,173.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 880 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1490 | THB13.923 |
| 1500 + | THB13.709 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 655-6795P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI1302DL-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 600mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | Si1302DL | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 480mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.86nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 600mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series Si1302DL | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 480mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.86nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.35mm | ||
Automotive Standard No | ||