Vishay IRFBE N-Channel MOSFET, 1.8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFBE20PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
542-9535P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFBE20PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

IRFBE

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor