N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

RS Stock No.:: 541-1124P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30PBF
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (Supplied as a Tape)**

THB77.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB82.51

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

436 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
13 - 64	THB75.57
65 +	THB62.19

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 541-1124P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30PBF
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Package Type	TO-220AB
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	3 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	125 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	4.7mm
Length	10.41mm
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	78 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	9.01mm

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor