Silicon N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V, 8-Pin 1212-8S Vishay SISS5110DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 279-9994
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS5110DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Silicon N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V, 8-Pin 1212-8S Vishay SISS5110DN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 4)**

THB69.073

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB73.908

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 10/11/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
4 - 56	THB69.073	THB276.292
60 - 96	THB51.868	THB207.472
100 - 236	THB45.968	THB183.872
240 - 996	THB44.983	THB179.932
1000 +	THB43.998	THB175.992

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9994
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS5110DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet - SISS5110DN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	55.9 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	1212-8S
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Channel Mode	Enhancement
Transistor Material	Silicon
Number of Elements per Chip	1

Silicon N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V, 8-Pin 1212-8S Vishay SISS5110DN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง