Vishay SISH Type P-Channel MOSFET, 54 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH103DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISH103DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB34,899.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,341.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB11.633 | THB34,899.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISH103DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 54A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | 1212-8 | |
| Series | SISH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0089Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 41.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 54A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type 1212-8 | ||
Series SISH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0089Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 41.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Fully lead (Pb)-free device
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISH Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH103DN-T1-GE3
- Vishay SISH Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISH107DN-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
- Vishay Type P-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7113DN-T1-GE3
- Vishay SIS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SIS4634LDN-T1-GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SISS4410DN-T1-GE3
- Vishay SIS9446DN 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8 SIS9446DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8
