Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB268.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB287.284
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,998 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB134.245 | THB268.49 |
| 50 - 98 | THB131.57 | THB263.14 |
| 100 - 248 | THB120.34 | THB240.68 |
| 250 - 998 | THB118.20 | THB236.40 |
| 1000 + | THB116.06 | THB232.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9967
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 198A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SIRS | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0022Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 588nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 132W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 198A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SIRS | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0022Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 588nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 132W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
New generation power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Ultra low RDS x Qg FOM product
Fully lead (Pb)-free device
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4301DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5100DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4302DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4600DP-T1-RE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4400DP-T1-RE3
- Vishay SISD Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-F SISD5300DN-T1-GE3
