Vishay SIJ Type P-Channel MOSFET, 44.4 A, 80 V Enhancement, 7-Pin SO-8L SIJ4819DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*

THB400.512

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB428.548

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
4 - 56THB100.128THB400.51
60 - 96THB90.973THB363.89
100 - 236THB80.96THB323.84
240 - 996THB79.243THB316.97
1000 +THB77.525THB310.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
279-9936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIJ4819DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

44.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIJ

Package Type

SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0207Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Power Dissipation Pd

73.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.13mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Less voltage drop

Reduces conduction loss

Fully lead (Pb)-free device

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง