Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 173 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 273-3030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7537TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB335.62
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB359.115
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 785 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB67.124 | THB335.62 |
| 25 - 45 | THB55.996 | THB279.98 |
| 50 - 95 | THB51.672 | THB258.36 |
| 100 - 245 | THB47.962 | THB239.81 |
| 250 + | THB46.97 | THB234.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7537TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 173A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 142nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 173A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 142nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET in a D2-Pak package is optimized for broadest availability from distribution partners.
Product qualification according to JEDEC standard
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface-mount power package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS7537TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V TO-220 IRFB7537PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ESTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLS3036TRLPBF