Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- RS Stock No.:
- 273-3026
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R099CFD7AXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB206.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB220.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 238 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB206.25 |
| 5 - 9 | THB202.07 |
| 10 - 24 | THB187.47 |
| 25 - 49 | THB172.02 |
| 50 + | THB158.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3026
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R099CFD7AXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Series | IPW | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 127W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, AECQ101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Series IPW | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 127W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, AECQ101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 650V cool MOS N-channel automotive SJ power MOSFET in TO-247 package. It has highest reliability in the field meeting automotive lifetime requirements.
Enabling of higher power density designs
Granular portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R099CFD7AXKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R115CFD7AXKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW60R037CM8XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R029CFD7XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247 IPW60R016CM8XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247