Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB5,567.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,956.89

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB185.573THB5,567.19
60 - 60THB167.013THB5,010.39
90 +THB150.315THB4,509.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
258-3914
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPW65R041CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IPW

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon 650V CoolMOS CFD7 super junction MOSFET TO-247 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50V breakdown voltage.

Ultrafast body diode and very low Qrr

650V breakdown voltage

Significantly reduced switching losses compared to competition

Excellent hard-commutation ruggedness

Extra safety margin for designs with increased bus voltage

Enabling increased power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง