Infineon IPU Type N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3 IPU95R750P7AKMA1
- RS Stock No.:
- 273-3023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU95R750P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB3,107.325
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,324.825
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | THB41.431 | THB3,107.33 |
| 150 + | THB38.471 | THB2,885.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU95R750P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 950V | |
| Package Type | PG-TO251-3 | |
| Series | IPU | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.75Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 950V | ||
Package Type PG-TO251-3 | ||
Series IPU | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.75Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V Cool MOS P7 technology focuses on the low power SMPS market. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reduci
Easy to drive and to design in
Better production yield by reducing ESD related failures
Less production issues and reduced field returns
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPU Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3
- Infineon IPU Type N-Channel MOSFET 950 V, 3-Pin TO-251
- Infineon IPU Type N-Channel MOSFET 950 V, 3-Pin TO-251 IPU95R450P7AKMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO251-3
- Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO251-3 IPU80R1K4P7AKMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD95R1K2P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW95R130PFD7XKSA1