Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET, 4 A, 800 V, 3-Pin PG-TO251-3
- RS Stock No.:
- 273-7471
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB158.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB169.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,495 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB31.75 | THB158.75 |
| 10 - 20 | THB25.81 | THB129.05 |
| 25 - 45 | THB25.282 | THB126.41 |
| 50 - 95 | THB24.754 | THB123.77 |
| 100 + | THB20.464 | THB102.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7471
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | 800V CoolMOS P7 | |
| Package Type | PG-TO251-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series 800V CoolMOS P7 | ||
Package Type PG-TO251-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET has better production yield by reducing ESD related failures. This MOSFET has less production issues and reduced field returns and easy to select right parts for fine tuning of designs. It enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.
Fully optimized portfolio
Best in class performance
Easy to drive and to parallel
Integrated zener diode ESD protection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 800V CoolMOS P7 MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO251-3 IPU80R1K4P7AKMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R1K4P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247 IPW80R360P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 IPP80R1K2P7XKSA1
- Infineon IPU Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin PG-TO251-3