Infineon CoolGaN Power Transistor, 15 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PG-LSON-8-1 IGLD60R070D1AUMA3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
273-2749
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGLD60R070D1AUMA3
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-LSON-8-1

Series

CoolGaN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon Power Transistor is a Gallium nitride CoolGaN™ 600V enhancement mode power transistor. This power transistor offers fast turn on and turn off speed, minimum switching losses and enables simple half bridge topologies with highest efficiency. The gallium nitride CoolGaN™ 600V series is qualified according to a comprehensive GaN tailored qualification well beyond existing standards. It addresses Datacom and server SMPS, telecom as well as adapter, charger, wireless charging and numerous other applications that demand highest efficiency or power density.

Reduces EMI

System cost reduction savings

Capable of reverse conduction

Superior commutation ruggedness

Enables higher operating frequency

Low gate charge and low output charge

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง