Infineon CoolGaN N-Channel Power Transistor, 30 A, 650 V Enhancement, 9-Pin PG-HDSOP-16 IGLT65R110B2AUMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB269.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB288.31

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,784 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB269.45
10 - 49THB218.46
50 - 99THB166.97
100 +THB133.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
762-901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGLT65R110B2AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-HDSOP-16

Series

CoolGaN

Mount Type

Surface

Pin Count

9

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

55W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.61nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.35mm

Length

10.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

10.1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon CoolGaN Bi-Directional Switch (BDS) utilizes gallium nitride technology to provide efficient voltage blocking in both directions. It integrates substrate voltage control, simplifying design for various industrial applications. The IGLT65R110B2 model is housed in a TOLT package, optimized for high power density.

Optimized for soft switching operation

Dual‑gate for independent bi‑directional functionality

Superior performance

Versatile for diverse industrial applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง