Vishay SQJ N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 268-8366P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (50 ชิ้น, จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,569.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,679.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 90 | THB31.394 |
| 100 - 240 | THB24.986 |
| 250 - 990 | THB24.479 |
| 1000 + | THB16.273 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8366P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 66A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SQJ | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.032Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 135W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 4.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 66A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SQJ | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.032Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 135W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 4.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay automotive N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and that has independent of operating temperature.
AEC Q101 qualified
ROHS compliant
UIS tested 100 percent