ROHM RX3G18BBG Type N-Channel MOSFET, 270 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RX3G18BBGC16
- RS Stock No.:
- 266-3862
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RX3G18BBGC16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB254.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB272.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB254.30 |
| 50 - 99 | THB229.85 |
| 100 - 249 | THB190.32 |
| 250 - 499 | THB186.65 |
| 500 + | THB165.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 266-3862
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RX3G18BBGC16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 270A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | RX3G18BBG | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.47mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 270A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series RX3G18BBG | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.47mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RX3G18BBG Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM RX3G18BBG Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RX3L07BBGC16
- ROHM N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220AB RX3G18BBGC16
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB3036PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3006PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF2804STRL