Microchip VP2110 Type P-Channel MOSFET, -120 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 VP2110K1-G

RS Stock No.:: 264-8951
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP2110K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip VP2110 Type P-Channel MOSFET, -120 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 VP2110K1-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB288.67

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB308.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB28.867	THB288.67
50 - 90	THB28.306	THB283.06
100 - 240	THB15.174	THB151.74
250 - 990	THB14.854	THB148.54
1000 +	THB14.574	THB145.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 264-8951
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VP2110K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	-120mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-23
	Series	VP2110
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	0.36W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Forward Voltage Vf	2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Width	1.3 mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id -120mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-23
	Series VP2110
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 0.36W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Forward Voltage Vf 2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Width 1.3 mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - VP2110K1-G

The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-to-drain diode

High input impedance and high gain

Microchip VP2110 Type P-Channel MOSFET, -120 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 VP2110K1-G

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง