Microchip TN5335 Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 350 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 TN5335K1-G

RS Stock No.:: 264-8925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN5335K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip TN5335 Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 350 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 TN5335K1-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB345.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB369.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,690 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB34.57	THB345.70
50 - 90	THB33.894	THB338.94
100 - 240	THB27.633	THB276.33
250 - 990	THB27.074	THB270.74
1000 +	THB26.515	THB265.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 264-8925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN5335K1-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	350V
	Series	TN5335
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15Ω
	Channel Mode	MOSFET
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.9mm
	Width	1.3 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 230mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 350V
	Series TN5335
	Package Type SOT-23
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15Ω
	Channel Mode MOSFET
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.9mm
	Width 1.3 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - TN5335K1-G

The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Microchip TN5335 Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 350 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 TN5335K1-G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง