ROHM RD3P100SN Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 264-3812
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P100SNTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB53,360.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB57,095.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB21.344 | THB53,360.00 |
| 5000 - 7500 | THB20.91 | THB52,275.00 |
| 10000 + | THB20.435 | THB51,087.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-3812
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P100SNTL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3P100SN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 133mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3P100SN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 133mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ROHM power MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is drive circuits can be simple and Pb-free plating and RoHS compliant.
Fast switching speed
Parallel use is easy
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3P100SN Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3P100SNTL1
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD13N10TM
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD13N10LTM
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6010YND3TL1
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
