Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 262-6775
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU3910PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 3000 ชิ้น)*
THB41,433.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB44,334.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB13.811 | THB41,433.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 262-6775
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU3910PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-251 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 115mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 2.39mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-251 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 115mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 2.39mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fast switching
Fully avalanche rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRLU3410PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3910TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252 IRFR3910TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252