Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF
- RS Stock No.:
- 262-6776
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU3910PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB204.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB218.44
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB20.415 | THB204.15 |
| 50 - 90 | THB18.159 | THB181.59 |
| 100 - 240 | THB16.332 | THB163.32 |
| 250 - 990 | THB16.021 | THB160.21 |
| 1000 + | THB14.854 | THB148.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 262-6776
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFU3910PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-251 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 115mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 2.39mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Distrelec Product Id | 304-41-680 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-251 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 115mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 2.39mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Distrelec Product Id 304-41-680 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRLU3410PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-252 IRFR3910TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 110 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR3910TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247