Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRFU3910PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB238.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB255.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB23.89THB238.90
50 - 90THB21.25THB212.50
100 - 240THB19.112THB191.12
250 - 990THB18.748THB187.48
1000 +THB17.382THB173.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
262-6776
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-41-680
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFU3910PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-251

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Height

2.39mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has ultra low on-resistance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fast switching

Fully avalanche rated

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง