STMicroelectronics MDmesh K6 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 261-5484
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N450K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,860.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,200.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB97.205 | THB4,860.25 |
| 100 - 100 | THB94.289 | THB4,714.45 |
| 150 + | THB90.517 | THB4,525.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 261-5484
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N450K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | MDmesh K6 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.6Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25.9nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series MDmesh K6 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.6Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25.9nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Worldwide best RDS(on) x area
Worldwide best FOM (figure of merit)
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh K6 Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 STP80N450K6
- STMicroelectronics MDmesh 9 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh 4.3 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh 5.2 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh 2.5 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh 3 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220