Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 319 V, 16-Pin TO-263 IPTC039N15NM5ATMA1
- RS Stock No.:
- 260-2670
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB207.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB222.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB207.79 |
| 10 - 99 | THB187.07 |
| 100 - 249 | THB168.41 |
| 250 - 499 | THB151.57 |
| 500 + | THB136.27 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 260-2670
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 319V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPT | |
| Pin Count | 16 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 319W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.35mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Length | 10.1mm | |
| Width | 10.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 319V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPT | ||
Pin Count 16 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 319W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.35mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Length 10.1mm | ||
Width 10.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET provides a cooling package for superior thermal performance with an innovative package combined with the key features of the technology which allows best in class products as well as high current rating for high-power density designs.
Increased system efficiency enabling extended battery life time
High power density
Superior thermal performance
Saving in cooling system
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 319 V, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin TOLG
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin TOLG IPTG039N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT039N15N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 16-Pin TO-263 IPTC044N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V, 16-Pin HDSOP