Infineon IPT N-Channel MOSFET, 365 A, 100 V Enhancement, 16-Pin HDSOP IPTC014N10NM5ATMA1

RS Stock No.:: 259-2732
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTC014N10NM5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT N-Channel MOSFET, 365 A, 100 V Enhancement, 16-Pin HDSOP IPTC014N10NM5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB304.49

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB325.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB304.49
10 - 99	THB289.12
100 - 249	THB274.97
250 - 499	THB261.22
500 +	THB247.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-2732
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPTC014N10NM5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	365A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	HDSOP
	Series	IPT
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	16
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	880mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	168nC
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 365A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type HDSOP
	Series IPT
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 16
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 880mV
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 168nC
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet - IPTC014N10NM5ATMA1

Infineon IPT Series MOSFET, 100V Maximum Drain-Source Voltage, 365A Maximum Continuous Drain Current - IPTC014N10NM5ATMA1

This MOSFET is an enhancement-mode N-channel transistor designed for high-current switching in demanding electronic systems. It operates across a wide ambient range and is packaged for low-profile board mounting, offering substantial power handling for applications requiring robust conduction and thermal endurance.

Features and Benefits:

• Low conduction resistance reduces on-state losses for efficient power transfer
• High continuous drain current enables sustained heavy-current operation
• 375W power dissipation capacity supports high-power switching tasks
• 168nC gate charge balances drive energy and switching dynamics
• Wide operating temperature range allows operation in extreme environments

Applications

• Suitable for high-current motor drive stages
• Ideal for power-supply output stages and converters
• Used with battery management for high-discharge circuits
• Can be used for industrial inverter switching assemblies

What gate voltage tolerance should be observed during operation?

The gate must not exceed a Peak of 20V relative to the source to avoid damage.

How does the device handle thermal stress during continuous operation?

It can dissipate up to 375W provided appropriate board thermal management and cooling are applied.

What resistance performance can be expected for conduction losses?

The on-resistance is specified at 1.4mΩ, which defines low conduction losses under rated conditions.

What temperature extremes can it withstand during storage or use?

It is rated to operate from -55°C up to 175°C, permitting use across a very wide thermal range.