Infineon IPT N-Channel MOSFET, 315 A, 100 V Enhancement HSOF IPT015N10NF2SATMA1

RS Stock No.:: 259-2644
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT015N10NF2SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT N-Channel MOSFET, 315 A, 100 V Enhancement HSOF IPT015N10NF2SATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1800 ชิ้น)*

THB156,677.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB167,644.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1800 - 1800	THB87.043	THB156,677.40
3600 - 3600	THB82.691	THB148,843.80
5400 +	THB78.556	THB141,400.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-2644
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT015N10NF2SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	315A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	HSOF
	Series	IPT
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.50mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 315A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type HSOF
	Series IPT
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.50mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPT015N10NF2SATMA1

Infineon IPT Series MOSFET, 100V Drain-Source Voltage, 315A Continuous Drain Current - IPT015N10NF2SATMA1

This MOSFET is a high-power N-channel transistor designed for surface-mount applications where robust switching and wide temperature endurance are required. It operates across an extensive temperature range and is intended for systems demanding substantial continuous current handling while maintaining low conduction losses. The device is supplied in a heat-sinking HSOF package suitable for high-current board-level integration.

Features and Benefits:

• 1.50mΩ Rds(on) enabling reduced conduction losses
• 315A continuous drain current supporting heavy loads
• 100V Vds permitting higher-voltage switching duties
• 1.2V forward voltage improving conduction efficiency
• -55°C to +175°C operational range enabling harsh environments

Applications

• Suitable for high-current motor drive stages
• Ideal for DC-DC converters in power racks
• Used with power distribution assemblies on boards
• Can be used for high-power switching in industrial systems
• Suitable for Compact heat-sinked surface-mount layouts

What package type is used for thermal dissipation?

It is provided in an HSOF package designed for enhanced heat transfer to external sinks.

Which mounting method is recommended for PCB assembly?

The device is intended for surface mounting to enable low-inductance board layout.

What channel conduction type does the device employ?

It uses an enhancement-mode N-channel configuration for controlled switching.

Is the product suitable for automotive standardisation?

It is not specified as meeting automotive standards but conforms to RoHS requirements.