Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 200 V TO-252 IRFR15N20DTRPBF
- RS Stock No.:
- 258-3980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR15N20DTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB188.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB202.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,540 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB37.776 | THB188.88 |
| 10 - 95 | THB36.644 | THB183.22 |
| 100 - 245 | THB35.178 | THB175.89 |
| 250 - 495 | THB33.418 | THB167.09 |
| 500 + | THB31.412 | THB157.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3980
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR15N20DTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 165mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Increased ruggedness
Multi-vendor compatibility
Industry standard qualification level
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V TO-252 IRFR024NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-252 IRFR220NTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
