Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
258-3991
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRL530NSTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

3.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.7nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET power MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง