Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 69 A, 650 V, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R029CFD7XKSA1
- RS Stock No.:
- 258-3911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB295.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB315.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 16 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB295.14 |
| 2 - 4 | THB286.29 |
| 5 - 9 | THB274.84 |
| 10 - 14 | THB261.10 |
| 15 + | THB245.43 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 69A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Series | IPW | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 305W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 69A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Series IPW | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 305W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 650V CoolMOS CFD7 super junction MOSFET in TO-247 package is ideally suited for resonant topologies in industrial applications, such as server, telecom, solar, and EV-charging stations, in which it enables significant efficiency improvements compared to competition. As a successor to the CFD2 SJ MOSFET family, it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour, and reduced reverse recovery charge enabling highest efficiency and power density as well as additional 50V breakdown voltage.
650V breakdown voltage
Significantly reduced switching losses compared to competition
Lowest RDS(on) dependency over temperature
Excellent hard-commutation ruggedness
Extra safety margin for designs with increased bus voltage
Enabling increased power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R115CFD7AXKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R099CFD7AXKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW60R037CM8XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247 IPW60R016CM8XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247