Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 30 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IPW60R125P6XKSA1
- RS Stock No.:
- 258-3909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R125P6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB159.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB171.04
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 159 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 1 | THB159.85 |
| 2 - 4 | THB143.53 |
| 5 - 9 | THB117.80 |
| 10 - 14 | THB117.53 |
| 15 + | THB115.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW60R125P6XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPW | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 219W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPW | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 219W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS P6 super junction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-off
Suitable for hard- & soft-switching topologies
Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247 IPW60R099C7XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW60R037CM8XKSA1
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 900 V TO-247
- Infineon IPW Type N-Channel MOSFET 950 V, 3-Pin TO-247
