Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB6,800.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,276.89

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 120 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB226.694THB6,800.82
60 - 60THB204.032THB6,120.96
90 +THB183.627THB5,508.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
258-3906
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPW60R099C7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

IPW

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS C7 super junction MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses compared to the CoolMOS CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The MOSFET is also a perfect match for high-power-density charger designs. Efficiency and TCO applications such as hyper data centres and high efficiency telecom rectifiers (>96%) benefit from the higher efficiency offered by CoolMOS C7. Gains of 0.3% to 0.7% in PFC and 0.1% in LLC topologies can be achieved. In the case of a 2.5kW server PSU, for example, using 600V CoolMOS C7 SJ MOSFETs in a TO-247 4pin package can result in energy cost reductions of ∼10% for PSU energy loss.

Increased switching frequency

Best R (on)A in the world

Rugged body diode

Measure showing key parameter for light load and full load efficiency

Doubling the switching frequency will half the size of magnetic components

Smaller packages for same R DS(on)

Can be used in many more positions for both hard and soft switching topologies

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง