Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R160P7XKSA1
- RS Stock No.:
- 258-3895
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R160P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB233.89
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB250.262
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 198 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB116.945 | THB233.89 |
| 10 - 18 | THB105.39 | THB210.78 |
| 20 - 28 | THB89.985 | THB179.97 |
| 30 - 38 | THB76.33 | THB152.66 |
| 40 + | THB66.525 | THB133.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3895
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R160P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS P7 super junction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge of the CoolMOS 7th generation platform ensure its high efficiency.
Integrated gate resistor RG
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R040S7XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R065S7XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R037CM8XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R180CM8XKSA1