Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 260 A, 80 V P, 7-Pin TO-263 IPB015N08N5ATMA1
- RS Stock No.:
- 258-3784
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB015N08N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB241.37
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB258.27
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB241.37 |
| 10 - 99 | THB218.40 |
| 100 - 249 | THB180.78 |
| 250 - 499 | THB157.48 |
| 500 + | THB147.82 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3784
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB015N08N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 260A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | P | |
| Forward Voltage Vf | 0.86V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 260A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode P | ||
Forward Voltage Vf 0.86V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Reduced switching and conduction losses
Less paralleling required
Increased power density
Low voltage overshoot
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V P, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V P TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V P TO-263 IPB019N08NF2SATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V P TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V P TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V P, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 300 V P TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V P TO-263